Otsuka大塚顯微分光膜厚儀

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石墨烯納米材料
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Otsuka大塚顯微分光膜厚儀

Otsuka大塚

膜厚量測儀 FE-300

顯微分光膜厚儀 OPTM

 

測量原理
大塚電子利用光學干涉儀和自有的高精度分光光度計,實現非接觸、無損、高速、高精度的薄膜厚度測量。光學干涉測量法是一種使用分光光度計的光學系統獲得的反射率來確定光學膜厚的方法。以涂在金屬基板上的薄膜為例,從目標樣品上方入射的光被薄膜表面(R1)反射。此外,穿過薄膜的光在基板(金屬)和薄膜界面(R2)處被反射。測量此時由于光程差引起的相移所引起的光學干涉現象,并根據得到的反射光譜和折射率計算膜厚的方法稱為光學干涉法。分析方法有四種:峰谷法、頻率分析法、非線性最小二乘法和優化法。

特點
非接觸、非破壞式,量測頭可自由集成在客戶系統內
初學者也能輕松解析建模的初學者解析模式
高精度、高再現性量測紫外到近紅外波段內的絕對反射率,可分析多層薄膜厚度、光學常數(n:折射率、k:消光系數)
單點對焦加量測在1秒內完成
顯微分光下廣范圍的光學系統(紫外 ~ 近紅外)
獨立測試頭對應各種inline定制化需求
最小對應spot約3um
可針對超薄膜解析nk

量測項目
絕對反射率分析
多層膜解析(50層)
光學常數(n:折射率、k:消光系數)

膜或者玻璃等透明基板樣品,受基板內部反射的影響,無法正確測量。OPTM系列使用物鏡,可以物理去除內部反射,即使是透明基板也可以實現高精度測量。此外,對具有光學異向性的膜或SiC等樣品,也可完全不受其影響,單獨測量上面的膜。

Otsuka大塚顯微分光膜厚儀

 

應用范圍
半導體、復合半導體:硅半導體、碳化硅半導體、砷化鎵半導體、光刻膠、介電常數材料
FPD:LCD、TFT、OLED(有機EL)
資料儲存:DVD、磁頭薄膜、磁性材料
光學材料:濾光片、抗反射膜
平面顯示器:液晶顯示器、薄膜晶體管、OLED
薄膜:AR膜、HC膜、PET膜等
其它:建筑用材料、膠水、DLC等

                OPTM-A1                 OPTM-A2                 OPTM-A3
波長范圍                 230 ~ 800 nm                 360 ~ 1100 nm                 900 ~ 1600 nm
膜厚范圍                 1nm ~ 35μm                 7nm ~ 49μm                 16nm ~ 92μm
測定時間                 1秒 / 1點以內
光徑大小                 10μm (最小約3μm)
感光元件                 CCD                 InGaAs
光源規格      氘燈+鹵素燈   鹵素燈
尺寸 556(W) X 566(D) X 618(H) mm (自動XY平臺型的主體部分)
重量 66kg(自動XY平臺型的主體部分)

 

Otsuka大塚顯微分光膜厚儀

膜厚量測儀 FE-300

特點
支持從薄膜到厚膜的各種薄膜厚度
使用反射光譜分析薄膜厚度
實現非接觸、非破壞的高精度測量,同時體積小、價格低
簡單的條件設置和測量操作!任何人都可以輕松測量薄膜厚度
通過峰谷法、頻率分析法、非線性最小二乘法、優化法等,可以進行多種膜厚測量。
非線性最小二乘法薄膜厚度分析算法可以進行光學常數分析(n:折射率,k:消光計數)。

測量項目
絕對反射率測量
膜厚分析(10層)
光學常數分析(n:折射率,k:消光計數)

測量對象
功能膜、塑料:透明導電膜(ITO、銀納米線)、相位差膜、偏光膜、AR膜、PET、PEN、TAC、PP、PC、PE、PVA、粘合劑、膠粘劑、保護膜、硬涂層、防指紋, 等等。
半導體:化合物半導體、Si、氧化膜、氮化膜、Resist、SiC、GaAs、GaN、InP、InGaAs、SOI、藍寶石等。
表面處理:DLC涂層、防銹劑、防霧劑等。
光學材料:濾光片、增透膜等。
FPD:LCD(CF、ITO、LC、PI)、OLED(有機膜、封裝材料)等
其他:HDD、磁帶、建筑材料等

 

 


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